삼성전자가 미국 텍사스주 오스틴 반도체공장에 대한 4조원대의 추가 투자를 확정했다.

삼성전자는 20일 텍사스주 정부와 투자 협의를 완료했다며 39억달러(4조1860억여원)를 들여 12인치(웨이퍼) 시스템 반도체 라인 전환을 결정했다고 공시했다.

이번 투자는 1998년부터 가동해온 오스틴 반도체공장의 메모리 반도체 1개 라인을 시스템 반도체 라인으로 전환하는 것이다. 오스틴 공장은 그동안 메모리 반도체 1개 라인을 운영하다 지난해 시스템 반도체 1개 라인을 추가 건설해 제품 생산을 해왔다. 이에 따라 이번 투자가 마무리되면 오스틴 공장은 시스템 반도체 2개 라인을 갖추게 되고, 28나노 첨단공정을 적용한 제품의 생산능력이 커지게 된다. 삼성전자 관계자는 “급증하는 시스템 반도체 수요에 대응하기 위해 라인 변경을 검토해왔고 주정부 등과 협의가 끝나 투자금액까지 확정해 공시한 것”이라고 설명했다.

지난 9월 중국 시안에 70억달러(7조5140억여원)를 투자해 내년 말 완공을 목표로 메모리 반도체(낸드플래시) 공장 건설에 나선데다 이번에 미국 오스틴 공장 투자도 확정했지만, 국내 설비투자는 중단됐다. 삼성전자는 경기도 화성 공장에서 짓고 있는 시스템 반도체 17라인에 대한 2조2500억원 투자를 11월 초 보류했다. 지난 6월 착공해 내년 말이 완공이었지만, 세계경기와 반도체 시황이 나쁘다는 이유로 완공시기를 늦추겠다는 것이었다. 삼성전자 관계자는 “경기 상황을 고려해 공사 속도를 조절하는 것이다. 투자 철회나 중단이 아니라 보류일 뿐이다”라고 말했다.